Electronica de Potencia 1

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    08-Dec-2015

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Teora electrnica de potencia

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<ul><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA:</p><p>1. diodo</p><p>2. tiristor - (SCR) silicon controlled rectifier.</p><p>3. tiristor de corte comandado (GTO) - gate turn off thyristor.</p><p>4. transistor bipolar - (TJB).</p><p>5. transistor de efeito de campo de potncia (MOSFET).</p><p>6. IGBT - insulated gate bipolar transistor.</p><p>7. MCT - MOS controlled thyristor.</p><p>A K</p><p>A K</p><p>G</p><p>A K</p><p>G</p><p>C</p><p>CEB</p><p>E</p><p>BD</p><p>SG</p><p>S</p><p>D</p><p>G</p><p>C</p><p>GE</p><p>A</p><p>GK</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>DIODO 5000 V, 10000A</p><p>TIRISTOR lentos: 5000V, 5000A, tq=100srpidos: 2000V, 200A, tq=20s</p><p>GTO 4500V, 1000A9000V, 9000A (mdulos)</p><p>TRANSISTOR 2000V, 2 a 10ABIPOLAR 1000V, 100A </p><p>MOSFET 100V, 30A1000V, 6A</p><p>IGBT 3500V, 300A</p><p>A K</p><p>A K</p><p>G</p><p>C</p><p>CEB</p><p>E</p><p>B</p><p>C</p><p>GE</p><p>D</p><p>SG</p><p>S</p><p>D</p><p>G</p><p>A K</p><p>G</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>IF</p><p>VAK</p><p>Diodo A K</p><p>Conduz se a tenso vAK se tornar positiva.</p><p>Bloqueia se a corrente IF se tornar negativa</p><p>Caracterstica ideal</p><p>Caracterstica ideal</p><p>Caracterstica realCaracterstica real</p><p>Potncia dissipada:</p><p>PF=VFIF=VjIFav + RjIFef2</p><p>Esquema equivalente do diodo em conduo</p><p>VjRj</p><p>Resistncia trmica do dissipador:</p><p>Tjmax - Ta = Rth j-a PFVAK</p><p>IF</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Limites de operaLimites de operao:o:</p><p>VRRM - tenso inversa mxima de pico repetitivoIFRMS - mximo valor eficaz da corrente directaIFAV - mximo valor mdio da corrente directaIFRM - mximo valor de pico rep. da corrente directaIFSM - mximo valor de pico no rep. da </p><p>corrente directaI2t - caracterstica de choque trmico </p><p>valor mdio da corrente directa</p><p>valor eficaz da corrente directa</p><p>I t i dtDt</p><p>2 2</p><p>0= </p><p>IT</p><p>i dtF RMS Dt</p><p>( ) = 1 20</p><p>IT</p><p>i dtF av Dt</p><p>( ) = 10</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>trr tempo de recuperao inversa;intervalo de tempo entre a inverso da corrente e a interseco da tangente no incio da subida com o eixo t </p><p>t</p><p>i mx</p><p>t rr</p><p>I RMQ rr</p><p>t a</p><p>Qrr carga de recuperao inversa (C);Carga elctrica removida da juno durante a transio ON-OFF</p><p>ta tempo de armazenamento;Intervalo desde que se inverte at comear a subir exponencialmente</p><p>Caracterstica dinmicaCaracterstica dinmicaCaracterstica dinmica</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Carga de capacidade</p><p>Potncia dissipada</p><p>Circuito de proteco para evitar oscilaes: </p><p>Problemas quando a frequncia aumenta</p><p>Passagem ao cortePassagem ao corte</p><p>Passagem conduoPassagem conduo</p><p>vAK</p><p>IF</p><p>t</p><p>t</p><p>com RC</p><p>t</p><p>tvAK</p><p>IF</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Classificao de dodosClassificao de dodosClassificao de dodos</p><p>SchottkySchottky Recuperao rpida(fast recovery)Recuperao rpida</p><p>(fast recovery) RectificadoresRectificadores</p><p> Von = 0.3 Vmx &lt; 150V</p><p> trr baixo ( kV Imx &gt; kA</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>SchottkySchottkyMx. tenso de bloqueio </p><p>Mx. Corrente directa valor mdio</p><p>Tenso de conduo</p><p>Corrente de fuga no corte</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Recuperao rpidaRecuperao rpida</p><p>Mx. tenso de bloqueio no corte</p><p>Tempo de recuperao</p><p>Corrente fuga no corte</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>RectificadoresRectificadores</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Dodos em paralelo (repartir correntes directas)Dodos em paralelo (repartir correntes directas)</p><p>Dodos em srie (repartir tenses inversas)Dodos em srie (repartir tenses inversas)</p><p>Equalizao por dispositivoSeleco de dodos com caractersticas muito semelhantes</p><p>Equalizao por acomplamento magnticoS para correntes de kA; processo caro e complexo; mais peso, mais volume.</p><p>Equalizao por resistnciasS para correntes mais baixas</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>TiristorSCR</p><p>A K</p><p>G</p><p>disparobloqueio</p><p>IF</p><p>VAK</p><p>Conduz se vAK for positivo e se existir um impulso de corrente na gate, de curta durao. Bloqueia se a corrente IF se anular. A K</p><p>+ VAK -</p><p>GiG</p><p>IAK</p><p>Semi-controladoSemi-controlado</p><p>Controlo apenas na passagem a ONON</p><p>Caracterstica idealCaracterstica ideal</p><p>Caracterstica realCaracterstica real</p><p>Transio OFF-ON vGK = VGKT &gt; 0, iG = iGT &gt; 0durante um intervalo de tempomnimo</p><p>Transio ON-OFF inverso de tenso IAK &lt; IH (corrente de manuteno)</p><p>VDRM</p><p>iG1&gt;iG2&gt;iG3</p><p>IF</p><p>VAK</p><p>I</p><p>VRRM</p><p>iG1 &gt; iG2 &gt; iG3</p><p>VDRM</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>VRRM - tenso inversa mxima de pico repetitivo</p><p>VDRM - tenso directa mxima de pico repetitivo com o tiristor no corte</p><p>ITRMS - mximo valor eficaz da corrente directa</p><p>ITAV - mximo valor mdio da corrente directa</p><p>ITRM - mximo valor de pico rep. da corrente directa</p><p>ITSM - mximo valor de pico no rep. da corrente directa</p><p>I2t - caracterstica de choque trmico </p><p>(di/dt)max - mxima taxa de crescimento da corrente directa</p><p>(dvAK/dt)max - mxima taxa de crescimento da tenso nodo ctodo</p><p>IH - corrente de manuteno (holding current) (1% ITAV)</p><p>IL - corrente de lanamento (latching current) (&gt; IH)</p><p>td - tempo de passagem conduo 0,1s - 10stq - tempo de passagem ao corte 1s - 110s</p><p>Limites de Limites de operaoperao:o:</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Caractersticas de GATEVGM ------ mximo valor da tenso gate- ctodo</p><p>PGM ------ mximo valor da potncia na gate</p><p>PGav ----- mximo valor da potncia mdia na gate</p><p>IGM ------- mximo valor da corrente de gate</p><p>Caractersticas de GATEVGM ------ mximo valor da tenso gate- ctodo</p><p>PGM ------ mximo valor da potncia na gate</p><p>PGav ----- mximo valor da potncia mdia na gate</p><p>IGM ------- mximo valor da corrente de gate</p><p>PGM=vGKIGK</p><p>vGK(MIN) vGM vGK</p><p>IGM</p><p>IG</p><p>td - tempo de disparo (diminui com o aumento de energia fornecida gate)</p><p>o impulso de gate</p><p>Correntes de fuga: I If Tav 104 ReqV</p><p>IoffRRM</p><p>f</p><p>Correntes de lanamento e manuteno:</p><p>No disparo IT&gt;IL</p><p>Na conduo IT&gt;IH</p><p>IL</p><p>IH</p><p>2%ITav</p><p>VAK</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Caracterstica dinmica</p><p>t</p><p>t</p><p>iA</p><p>vAK</p><p>trr</p><p>tq</p><p>tq tempo de recuperao outempo de passagem ao corte</p><p>tq tempo de recuperao outempo de passagem ao corte</p><p> necessrio assegurar uma tensonegativa durante um tempo superior a tqpara que o tiristor corte; caso contrrioconduz logo que polarizado directamente, mesmo sem impulso de gate.</p><p>Outras limitaesdos tiristoresOutras limitaesdos tiristores</p><p>Taxa mxima de variao da corrente diA / dt</p><p>Taxa mxima de variao da tenso dvAK / dt</p><p>A K+ VAK -</p><p>GiG</p><p>IAK</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>tr</p><p>tdiT</p><p>vAK</p><p>ATENO a:Potncia dissipadadi/dt mximotr (depende do circuitoexterior)</p><p>ATENO a:Potncia dissipadadvAK/dt mximo1s</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>concentrao de corrente numa rea muito pequena dissipao de potncia elevadaque pode levar destruio do tiristor</p><p>(di/dt)mx - 200A/s lentos (di/dt)mx -2000A/s rpidos</p><p>Para proteger o tiristor contra di/dt </p><p>utiliza-se uma bobineem srie</p><p>Proteces contra di/dt e dvAK/dt excessivosdi/dt</p><p>RiTv</p><p>L</p><p>iG</p><p>iT</p><p>t</p><p>t</p><p>v</p><p>t</p><p>2</p><p>iG</p><p>iT</p><p>t</p><p>t</p><p>v</p><p>t</p><p>2d id t</p><p>= </p><p>circuito de rectificao semproteco contra di/dt</p><p>circuito de rectificaocomproteco contra di/dt</p><p>RiTv</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>DimensionamentoDimensionamento dada bobinebobine de de protecprotecoo::</p><p>v Ri L didt</p><p>= + ( )i t = =0 0 (existncia da bobine)em t = 0v L di</p><p>dt=</p><p>didt</p><p>vL</p><p>didt</p><p>= &lt; max</p><p>L vdidt</p><p>&gt; </p><p> max</p><p>Exemplo:</p><p>didt</p><p>A s =max /200 </p><p>L H&gt; =2220200</p><p>156. </p><p>v(max) --- = 90 v = 2220</p><p>R=10</p><p>L=2H (no afecta as caractersticas do circuito)(L=.6m para f=50Hz e R=10)</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>dvAK/dt surge quando se estabeleceo circuito na comutao de cargas indutivas na passagem ao corte ou conduo de outro tiristor</p><p>dvAK/dt surge quando se estabeleceo circuito na comutao de cargas indutivas na passagem ao corte ou conduo de outro tiristor</p><p> as cargas elctricas armazenadas na regio espacial de um tiristor bloqueado </p><p>equivalem a uma capacidade C</p><p> se dvAK/dt excessivo a corrente i = CdvAK/dt pode ser suficiente para lanar o dispositivona conduo, intempestivamente</p><p>Para proteger o tiristor contra dvAK/dt utiliza-se uma malha capacitivaRC em paralelo com o tiristor</p><p>iTv R</p><p>LRS CSRectificador com protecescontra dvAK/dt e di/dt</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>RAK&gt;&gt;&gt;R</p><p>vR=10</p><p>LRAK</p><p>vAK</p><p>Esquema equivalente com o tiristor no corte sem proteco contra dvAK/dt.</p><p>v R i L didtAK</p><p>= +VAK = RAKi</p><p>dvdt</p><p>R VL</p><p>AKAK= </p><p>max</p><p>didt</p><p>vL</p><p>=</p><p>dvdt</p><p>R didt</p><p>AKAK= </p><p>Se dvAK/dt = 300V/se di/dt = 200A/s mHx</p><p>xxL 5210300</p><p>222050 3 == valor muito elevadoL=16 f=50Hz R=10</p><p>RAK=50K</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Dimensionamento da malha capacitiva:Dimensionamento da malha capacitiva:</p><p>dvdt</p><p>R VL</p><p>AKAK= </p><p>max</p><p>Esquema equivalente com o tiristor no corte com proteco contra dvAK/dt.</p><p>vR=10</p><p>LRS</p><p>vAK</p><p>CSRAK</p><p>A resistncia total medida aos terminais do tiristor fica diminuida quando se pe, em paralelo, a resistncia Rs. Assim para RS&gt; Coff=1nFA corrente que precorre o tiristor no corte aproximadamente 10mA ZC=32K f=50Hz ZC=1/C</p><p>RS pode baixar mas ficar limitado pelo valor da corrente que percorre o circuito com o transistor bloqueado. CS=0,1F valor tpico CS&gt;&gt;&gt; Coff=1nFA corrente que precorre o tiristor no corte aproximadamente 10mA ZC=32K f=50Hz ZC=1/C</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Supresso de transitrios</p><p>1KA</p><p>VS</p><p>I</p><p>VDRM-VS</p><p>curvacaractersticade um varistor</p><p>curvacaractersticade um varistor</p><p>Proteco contra sobre-intensidades</p><p>FUS FusveisFusveis rpidosrpidos ouou ultra ultra rpidosrpidos</p><p>i) i) VmaxVmax FUS &gt; FUS &gt; VmaxVmax</p><p>ii) Iii) I22t FUS &gt; It FUS &gt; I22t t tiristortiristor</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Circuitos de disparo de tiristoresCircuitos de disparo de tiristores drives</p><p>BUFFER</p><p>Sinal de disparo</p><p>Oscilador autnomo</p><p>Inibio</p><p>RB</p><p>1:1VCCRC</p><p>1nF</p><p>2 - Isolamento galvnico com ligao ptica:</p><p>Foto tiristores</p><p>Alimentaoe Lgica</p><p>Foto acopulador</p><p>1 - Isolamento galvnico com transformador de impulso:</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>ClassificaoClassificao ddee TiristoresTiristores</p><p>Tiristores Lentos(Controlo de fase)Tiristores Lentos(Controlo de fase)</p><p>Tiristores rpidos(Inversores)Tiristores rpidos(Inversores)</p><p>Foto-Tiristores(HVDC)Foto-Tiristores(HVDC)</p><p> Imx: 4 kA</p><p> Vmx: 5-7 kV</p><p> Von: 1,5V (@1kV); 3V (@5-7kV)</p><p>Aplicaes rede1, 3, 50-60 HzAplicaes rede1, 3, 50-60 Hz</p><p> tq baixos, 1-100 s Vmx: 2,5 kV, Imx: 1,5 kA</p><p> Von mais baixos</p><p>Freqs: 1 -2 kHz</p><p>LTT Ligth triggered TLASCR Ligth Activated T</p><p>disparadospor impulsoluminoso(fibra ptica)</p><p> potncia no disparo: mW</p><p> Vmx: 8 kV, Imx: 3,5 kA</p><p> Von: 2-3 V @3,5 kA</p><p>HVDCHVDC</p><p>Inversorescom circuitos de </p><p>comutao forada</p><p>Inversorescom circuitos de </p><p>comutao forada</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>OutrosOutros TiristoresTiristores</p><p>GATTGATTGATTGate-assisted turn-off Tiristor</p><p>(T de corte assistido pela gate)</p><p>GTOGTOGTO</p><p>Gate-turn-off Tiristor</p><p>A</p><p>K</p><p>G</p><p>TRIAC, DIAC, QUADRACTRIAC, DIAC, QUADRACTRIAC, DIAC, QUADRAC</p><p>(1200V, 300A)</p><p>(Electrnica Geral)</p><p>10</p><p>carga</p><p>68n</p><p>4,7k</p><p>470k</p><p>47</p><p>230V50Hz</p><p>QUADRACQUADRAC</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>GTOGTOGTO</p><p>Gate-Turn-Off Tiristor</p><p>A</p><p>K</p><p>G</p><p>VGC+</p><p>-</p><p>I IA</p><p>VAK</p><p>VRWM</p><p>PrincipaisPrincipais camposcampos de de aplicaoaplicao:</p><p> comboios de alta velocidade</p><p> transporte HVDC*</p><p>* transporte de energia elctrica em cc a muito alta tenso</p><p>VVonon2-3 V</p><p>VVmxmx99 kV</p><p>IImxmx3 kA</p><p>ttqq10-25 s</p><p>ffcc&lt; 10 kHz</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>semelhante ao tiristor convencional (1</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>Outro problemados GTOs</p><p>Outro problemados GTOs</p><p>Muito sensvel a dvdvAKAK/dt/dt elevadosespecialmente de OFF-ON</p><p>mximo de 1-2 kV/s</p><p>Problemtico paracircuitos indutivos</p><p>soluosoluo</p><p>Circuitosde proteco</p><p>A</p><p>K</p><p>G</p><p>VGC+</p><p>-</p><p>I</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>IC</p><p>VCEsat</p><p>IB1</p><p>IB2</p><p>IB3</p><p>5 &lt; hFE &lt; 10 baixos hFE considervel tempo de atraso na passagem ao corte dcimas s &lt; tempos de comutao &lt; alguns s 1400 V, centenas de A coeficiente negativo de T (embalamento trmico)</p><p>Transistor de juno bipolar</p><p>TJB</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>C</p><p>B</p><p>E</p><p>monolithicDarlington</p><p>C</p><p>B</p><p>E</p><p>Darlingtontriplo</p><p>Solues para hFE maior</p><p>desvantagens maior VCEsat menos rpidos a comutar</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>VDS</p><p>VGS1</p><p>ID</p><p>VGS2</p><p>VGS3</p><p> dissipao na conduo dependente de RON competitivos com TJB para &lt; 300/400V e &gt;100kHz dezenas ns &lt; tempos de comutao &lt; dcimas s 1000 V, &lt; 100 A controlo menos complexo coeficiente positivo de T (auto proteco)</p><p> dissipao na conduo dependente de RON competitivos com TJB para &lt; 300/400V e &gt;100kHz dezenas ns &lt; tempos de comutao &lt; dcimas s 1000 V, &lt; 100 A controlo menos complexo coeficiente positivo de T (auto proteco)</p><p>Transistor de efeito de campo de potncia</p><p>MOSFET</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>limites de operalimites de operao:o:VDS - Mxima tenso Dreno FonteVDG - Mxima tenso Dreno GateID - Mxima corrente de DrenoVGS - Mxima tenso gateFontePD - Potncia Mxima dissipada </p><p>rDS(on) - Resistncia em conduo (limita a escolha do FET)</p><p>Tempos de conduo da ordem dos 50 a 300ns</p><p>Circuitos de proteco:</p><p>Sendo os tempos de comutao muito baixos h necessidade de proteger o MOSFET contra sobretenses na comutao. Durante a comutao o dispositivo requer correntes elevadas na gate(carga descarga de capacidade)</p><p>sem protecoID</p><p>VDS</p><p>t</p><p>Pcond=rDS(on)IDef2</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>protecoproteco com com snubbersnubberprotecoproteco com com zennerzenner</p><p>ID</p><p>VDS</p><p>t</p><p>ID</p><p>VDS</p><p>t</p><p>diodo de substracto (diodo parasita) pode ser utilizado como diodo de roda livre (diodo lento) </p><p>Acopulador ptico</p><p>circuitos de disparo:circuitos de disparo:</p><p>VV</p><p>S</p><p>Transfomador de impulsos</p><p>G</p><p>D</p><p>G</p><p>D</p><p>Alimentaoe Lgica</p><p>Foto acopulador</p><p>S</p></li><li><p>IST-DEEC2003</p><p>Prof Beatriz Vieira Borges</p><p>DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTNCIA</p><p>ELECTRNICA DE POTNCIA</p><p>IInsulated nsulated GGate ate BBipolar ipolar TTransistorransistor</p><p>E</p><p>C</p><p>G</p><p>IC</p><p>VCE</p><p>VGS1</p><p>VGS2</p><p> gate isolada como no MO...</p></li></ul>